Diode Parameter Determination Applied to LDD-MOSFETs for Device Characterization
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
A Physics Based Resistance Model of the Overlap Regions in LDD-MOSFETs
A new resistance model for lightly doped source/drain regions featuring a nonlinear gate voltage dependence has been implemented in the Bsim3v3 model. This is achieved by separating the LDS(D) resistance into a voltage dependent accumulation and a spreading part.
متن کاملDiode calibration for dose determination in total body irradiation
Background: Total Body Irradiation (TBI) is different from standard radiotherapy in many aspects, so it is not easy to predict the delivered dose to the patient under TBI treatment. Diode dosimetry procedures for surface dose reading can help to define variations of the actually delivered dose from the prescribed one. The aim of this study was to describe the measurements made to calib...
متن کاملتععین پارامتر های ترانسفورماتور به منظور تشخیص خطا transformer parameter determination for the purpose of failure diagnosis
چکیده ترانسفورماتورهای قدرت ادوات گران قیمتی هستنند که نقش بسیار مهمی را در سیستم های قدرت ایفا می کنند. در سالهای اخیر روشهای مختلفی جهت تشخیص خطا و مونیتورینگ ترانسفورماتورها ارائه شده است. در این پایان نامه برخی از این روشها جهت تعیین پارامتر های ترانسفورماتور در شرایط سالم و خطاهای مختلف در محدوده ی وسیعی از فرکانس بررسی شده است. همچنین با استفاده از روش اجزای محدود و محاسبات بر پایه فرمو...
15 صفحه اولA New Physical Modeling of Parasitic Capacitances of Deep-Submicron LDD MOSFETs
In mixed circuit simulation, the estimation of parasitic capacitances of deep-submicron MOSFETs is very important. With the continuous scaling of the devices, the extrinsic capacitance, i.e. the overlap and fringing capacitances become a growing fraction of the total gate capacitance. We found the major existing models do not predict correctly the overlap capacitance and the inner fringing capa...
متن کاملA Flexible Microwave De-Embedding Method for On-Wafer Noise Parameter Characterization of MOSFETs
A flexible noise de-embedding method for on-wafer microwave measurements of silicon MOSFETs is presented in this study. We use the open, short, and thru dummy structures to subtract the parasitic effects from the probe pads and interconnects of a fixtured MOS transistor. The thru standard are used to extract the interconnect parameters for subtracting the interconnect parasitics in gate, drain,...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Active and Passive Electronic Components
سال: 1998
ISSN: 0882-7516,1563-5031
DOI: 10.1155/1998/54921